Tiêu chuẩn quốc gia
© VSQI - Bản quyền xuất bản thuộc về Viện Tiêu chuẩn chất lượng Việt Nam
_8*L9G3L4G0G0L0**R0R6R0R3R8R7*
Số hiệu
Standard Number
TCVN 7187:2002
Năm ban hành 2002
Publication date
Tình trạng
A - Còn hiệu lực (Active)
Status |
Tên tiếng Việt
Title in Vietnamese Hướng dẫn sử dụng phương pháp thay thế để đo bức xạ của lò vi sóng ở tần số lớn hơn 1 GHz
|
Tên tiếng Anh
Title in English Guidance on the use of the substitution method for measurements of radiation from microwave ovens for frequencies above 1 GHz
|
Tiêu chuẩn tương đương
Equivalent to CISPR 19:1983
IDT - Tương đương hoàn toàn |
Chỉ số phân loại Quốc tế (ICS)
By field
33.100 - Tương thích điện từ
|
Số trang
Page 7
Giá:
Price
Bản Giấy (Paper): 50,000 VNĐ
Bản File (PDF):84,000 VNĐ |
Phạm vi áp dụng
Scope of standard 1.1 Nhiều lò vi sóng gia dụng và lò vi sóng thương mại cỡ nhỏ, có kích thước lớn nhất không quá 1 m. Qui trình đo của các thiết bị như vậy được nêu chi tiết trong điều 2 và qui trình đối với các thiết bị khác cho trong điều 3. Trong cả hai trường hợp, thử nghiệm tải của lò được tiến hành theo 6.5.4 của TCVN 6988 : 2001 (CISPR 11): Thiết bị tần số rađiô dùng trong công nghiệp, nghiên cứu khoa học và y tế (ISM) − Đặc tính nhiễu điện từ − Giới hạn và phương pháp đo.
1.2 Qui trình đo trong điều 2 và điều 3 được lặp lại đối với cả hai trường hợp phân cực đứng và phân cực ngang ở tần số thử nghiệm. Phải chú ý rằng khoảng cách của điểm gấp khúc xác định trong điều 3 thường là hàm số của tần số, và vì thế khoảng cách này phải được xác định ở từng tần số thử nghiệm. 1.3 Nếu sử dụng dải tần số của anten thu dạng phễu, chứa tần số cơ bản dùng trong lò vi sóng, thì phải chú ý để đảm bảo rằng tần số cơ bản không ảnh hưởng đến các số đọc. 1.4 Các phép đo nêu ở điều 2 và trong trường hợp có thể, cả các phép đo nêu trong điều 3 cần được tiến hành ở vị trí thử nghiệm bằng phẳng, không có các đường dây trên không và kết cấu phản xạ ở gần cũng như có đủ độ rộng để đặt được anten ở khoảng cách qui định đảm bảo đủ độ cách biệt giữa anten, lò vi sóng cần thử nghiệm và các kết cấu phản xạ. Vị trí thử nghiệm phù hợp được mô tả trên hình 3. |